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STH3N150-2中文参数_功能特性_原厂出售

IC先生 网络 104 2023-12-16 17:25:34

概述

这些功率mosfet采用意法半导体基于带状布局的MESH OVERLAY工艺设计。

STH3N150-2符号图

STH3N150-2

STH3N150-2功能参数

  • 100%雪崩测试
  • 最小化固有电容和Qg
  • 高速交换
  • 全隔离TO-3PF塑料封装,爬电距离路径5.4 mm(型)

STH3N150-2引脚图

STH3N150-2

STH3N150-2 3D图

STH3N150-2

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STH3N150-2中文参数_功能特性_原厂出售


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文章标签: 芯片
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