STL45N65M5规格参数_功能特性_现货专卖

STM32G030x6/x8主流微控制器基于高性能Arm®皮质®-M0+ 32位RISC内核，工作频率高达64mhz

ST715是一款高压、超低静态电流和低降线性稳压器，能够提供超过85 mA的输出电流

凭借英飞凌的性能优化芯片技术(Gen1p)， SiC Mosfet具有一流的开关性能，抗寄生导通的稳稳性，以及改进的RDSon和Rth(j-c)高功率密度，卓越的效率，双向充电能力和显著降低的系统成本

TPD2E001DZDR是一种双通道瞬态电压基于抑制器的静电放电保护二极管阵列，TPD2E001为额定值以最大程度耗散ESD冲击IEC 61000-4-2 4级国际标准中规定标准DRS套装，也是可作为非磁性包装用于医疗成像应用。

这种碳化硅功率MOSFET器件是使用ST的先进和创新的2开发的nd第一代SiC MOSFET技术

1N5711是一款超高速小信号肖特基二极管，非常适合高电平检测、混频、开关、门控、对数或AD转换、视频检测、鉴频、采样和波形整形。