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STD18N55M5中文参数_引脚特性_原装供应

IC先生 网络 101 2023-12-17 15:58:24

概述

该器件是基于MDmesh M5创新垂直工艺技术结合著名的PowerMESH水平布局的n沟道功率MOSFET。

STD18N55M5符号图

STD18N55M5

STD18N55M5功能参数

  • 极低RDS(开)
  • 低栅极电荷和输入电容
  • 优异的开关性能
  • 100%雪崩测试

STD18N55M5引脚图

STD18N55M5

STD18N55M5 3D图

STD18N55M5

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STD18N55M5中文参数_引脚特性_原装供应


网址: https://www.mrchip.cn/newsDetail/27235
文章标签: 芯片
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