STD1NK60-1前往购买
STD1NK60-1中文规格_引脚特性_原厂出售
IC先生 网络 114 2023-12-17 15:06:13
概述
该高压器件是采用意法半导体(STMicroelectronics) SuperMESH技术开发的齐纳保护n沟道功率MOSFET，是对成熟的PowerMESH技术的优化。
STD1NK60-1符号图
STD1NK60-1功能参数
- 极高的dv/dt能力
- ESD改进能力
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
STD1NK60-1引脚图
STD1NK60-1 3D图
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芯片
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