STD2HNK60Z-1前往购买
STD2HNK60Z-1产品参数_引脚特性_原装供应
IC先生 网络 96 2023-12-17 08:11:55
概述
这些高压器件是采用意法半导体(STMicroelectronics) SuperMESH技术开发的齐纳保护n沟道功率mosfet，该技术是对成熟的PowerMESH技术的优化。
STD2HNK60Z-1符号图
STD2HNK60Z-1功能参数
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低本征电容
- Zener-protected
STD2HNK60Z-1引脚图
STD2HNK60Z-1 3D图
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芯片
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