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STW38N65M5-4中文参数_产品特点_现货出售

IC先生 网络 140 2023-12-17 17:42:56

概述

该器件是基于MDmesh™M5创新垂直工艺技术结合著名的PowerMESH™水平布局的n沟道功率MOSFET。

STW38N65M5-4符号图

STW38N65M5-4

STW38N65M5-4功能参数

  • 极低RDS(开)
  • 低栅极电荷和输入电容
  • 优异的开关性能
  • 100%雪崩测试

STW38N65M5-4引脚图

STW38N65M5-4

STW38N65M5-4 3D图

STW38N65M5-4

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文章标签: 芯片
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