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STP10NM60N中文参数_功能特性_原厂出售

IC先生 网络 104 2023-12-17 12:51:56

概述

该器件是采用第二代MDmesh技术开发的n沟道功率MOSFET。

STP10NM60N符号图

STP10NM60N

STP10NM60N功能参数

  • 100%雪崩测试
  • 低输入电容和栅极电荷
  • 低栅极输入电阻

STP10NM60N引脚图

STP10NM60N

STP10NM60N 3D图

STP10NM60N

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文章标签: 芯片
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