STP50N65DM6前往购买
STP50N65DM6产品参数_符号图_原装现货
IC先生 网络 108 2023-12-17 11:38:03
概述
该高压N沟道MOSFET出自快恢复体二极管MDmesh DM6系列与之前一代的快恢复特性MDmesh相比，DM6兼具超低恢复电荷 (Qrr),恢复时间(trr)并且大幅提升单位面积 RDS(on) 值，具有最高效的开关表现，适用于市面上要求最苛刻的高效桥式拓扑和ZVS移相转换器。
STP50N65DM6符号图
STP50N65DM6功能参数
- 快恢复二极管
- 单位面积的Rds(on)值比上一代更低
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 经过100％雪崩测试
- 极高的dv/dt强度
- 稳压保护
STP50N65DM6引脚图
STP50N65DM6 3D图
热点资讯
周度热榜
月度热榜
年度热榜
推荐商品
猜你想看
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯
