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STY112N65M5产品规格_引脚特性_原厂出售

IC先生 网络 82 2023-12-17 14:12:31

概述

该器件是基于MDmesh M5创新垂直工艺技术结合著名的PowerMESH水平布局的n沟道功率MOSFET。

STY112N65M5符号图

STY112N65M5

STY112N65M5功能参数

  • 极低RDS(开)
  • 低栅极电荷和输入电容
  • 优异的开关性能
  • 100%雪崩测试

STY112N65M5引脚图

STY112N65M5

STY112N65M5 3D图

STY112N65M5

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STY112N65M5产品规格_引脚特性_原厂出售


网址: https://www.mrchip.cn/newsDetail/27455
文章标签: 芯片
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