STQ1HNK60R-AP前往购买
STQ1HNK60R-AP产品参数_功能特性_原装供应
IC先生 网络 132 2023-12-17 16:18:32
概述
这些高压器件是采用意法半导体SuperMESH™技术开发的齐纳保护n沟道功率mosfet，该技术是对PowerMESH™的优化。
STQ1HNK60R-AP符号图
STQ1HNK60R-AP功能参数
- 极高的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
STQ1HNK60R-AP引脚图
STQ1HNK60R-AP 3D图
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芯片
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