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STN3P10F6中文规格_引脚特性_原装原厂

IC先生 网络 166 2023-12-18 15:50:34

概述

该器件是采用stripet™F6技术开发的p沟道功率MOSFET,具有新的沟槽栅极结构。

DS(上)

在所有的包装。

STN3P10F6符号图

STN3P10F6

STN3P10F6功能参数

  • 极低导通电阻
  • 极低栅极电荷
  • 高雪崩坚固性
  • 栅极驱动功率损耗低

STN3P10F6引脚图

STN3P10F6

STN3P10F6 3D图

STN3P10F6

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STN3P10F6中文规格_引脚特性_原装原厂


网址: https://www.mrchip.cn/newsDetail/27639
文章标签: 芯片
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