STN3P10F6中文规格_引脚特性_原装原厂
IC先生 网络 166 2023-12-18 15:50:34
概述
该器件是采用stripet™F6技术开发的p沟道功率MOSFET,具有新的沟槽栅极结构。
DS(上)
在所有的包装。
STN3P10F6符号图
STN3P10F6功能参数
- 极低导通电阻
- 极低栅极电荷
- 高雪崩坚固性
- 栅极驱动功率损耗低
STN3P10F6引脚图
STN3P10F6 3D图
热点资讯
周度热榜
月度热榜
年度热榜
推荐商品
猜你想看
版权声明:
部分文章信息来源于网络以及网友投稿,本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑,是出于传递更多信息之目的,并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性,如本站文章和转稿涉及版权等问题,请作者及时联系本站,我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯