STD10P10F6产品参数_产品特征_原装现货
IC先生 网络 76 2023-12-18 13:05:53
概述
该器件是使用stripet F6技术开发的p沟道功率MOSFET,具有新的沟槽栅极结构。
DS(上)
在所有的包装。
STD10P10F6符号图
STD10P10F6功能参数
- 极低导通电阻
- 极低栅极电荷
- 高雪崩坚固性
- 栅极驱动功率损耗低
STD10P10F6引脚图
STD10P10F6 3D图
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文章标签:
芯片
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