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STM32F411RE功能参数_产品特点_原装供应

IC先生 网络 28 2023-12-21 13:44:17

概述

STM32F411xC/xE器件基于高性能Arm

®

皮质

®

-M4 32位RISC内核,工作频率高达100mhz。

®

-M4核心具有浮点单元(FPU)单精度,支持所有Arm单精度数据处理指令和数据类型。

STM32F411xC/xE属于STM32动态效率™产品线(产品结合了功率效率,性能和集成),同时增加了一个新的创新功能,称为批处理采集模式(BAM),允许在数据批处理期间节省更多的功耗。

STM32F411xC/xE集成了高速嵌入式存储器(高达512 kb的闪存,128 kb的SRAM),以及广泛的增强型I/ o和连接到两个APB总线,两个AHB总线和32位多AHB总线矩阵的外设。

所有器件都提供一个12位ADC,一个低功耗RTC,六个通用16位定时器,包括一个用于电机控制的PWM定时器,两个通用32位定时器。

STM32F411xC/xE工作在- 40至+ 125°C的温度范围内,从1.7 (PDR OFF)到3.6 V的电源。

这些特点使得STM32F411xC/xE微控制器适用于广泛的应用。

STM32F411RE符号图

STM32F411RE

STM32F411RE功能参数

  • 动态效率线与BAM(批量获取模式)
    • 1.7 V ~ 3.6 V电源
    • - 40°C至85/105/125°C温度范围
  • 核心:Arm®32位Cortex®-M4 CPU与FPU,自适应实时加速器(ART加速器™)允许0等待状态执行闪存,频率高达100 MHz,内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1),和DSP指令
  • 记忆
    • 高达512 kb的闪存
    • 128 kb的SRAM
  • 时钟,复位和供应管理
    • 1.7 V至3.6 V应用电源和I/ o
    • POR, PDR, PVD和BOR
    • 4- 26兆赫晶体振荡器
    • 内部16 MHz工厂修剪RC
    • 32 kHz RTC振荡器与校准
    • 内部32 kHz RC与校准
  • 电力消耗
    • 运行:100 μA/MHz(外设关)
    • 停止(在停止模式下闪光,快速唤醒时间):42 μA类型@ 25C;
    • 停止(在Deep power down模式下闪烁,缓慢唤醒时间):低至9 μA @ 25°C;
    • 待机:1.8 μA @25°C / 1.7 V,无RTC;
    • RTC的VBAT电源:1 μA @25°C
  • 1×12-bit, 2.4 MSPS A/D转换器:最多16通道
  • 通用DMA:具有fifo和突发支持的16流DMA控制器
  • 多达11个定时器:多达6个16位,两个32位定时器高达100 MHz,每个定时器最多有四个IC/OC/PWM或脉冲计数器和正交(增量)编码器输入,两个看门狗定时器(独立和窗口)和一个SysTick定时器
  • 调试模式
    • Serial wire debug (SWD) & JTAG interfaces
    • Cortex®-M4嵌入式跟踪Macrocell™
  • 多达81个具有中断能力的I/O端口
    • 多达78个快速I/ o,最高可达100 MHz
    • 最多77.5 v容错I/ o
  • 最多13个通信接口
    • 最多3个I2C接口(SMBus/PMBus)
    • 最多3个usart (2 × 12.5 Mbit/s, 1 × 6.25 Mbit/s), ISO 7816接口,LIN, IrDA,调制解调器控制)
    • 最多5个SPI/I2S(最高50 Mbit/s, SPI或I2S音频协议),SPI2和SPI3与混合全双工I2S,通过内部音频锁相环或外部时钟实现音频级精度
    • SDIO接口(SD/MMC/eMMC)
    • 高级连接:带片上PHY的USB 2.0全速设备/主机/OTG控制器
  • CRC计算单元
  • 96位唯一ID
  • RTC:亚秒精度,硬件日历
  • 所有封装(WLCSP49, LQFP64/100, UFQFPN48, UFBGA100)都是ECOPACK®2

STM32F411RE引脚图

STM32F411RE

STM32F411RE 3D图

STM32F411RE

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