原装SN74CB3Q16210DGGR引脚配置_逻辑框图_封装信息
SN74CB3Q16210DGGR是一款高带宽FET总线开关，利用电荷泵来提高通过晶体管的栅极电压，提供低而平坦的导通电阻(rON)。低且平坦的导通电阻允许最小的传播延迟，并支持数据输入/输出(I/O)端口上的轨至轨开关。该器件还具有低数据I/O电容的特点，可将数据总线上的电容负载和信号失真降至最低。SN74CB3Q16210专为支持高带宽应用而设计，提供优化的接口解决方案，非常适合宽带通信、网络和数据密集型计算系统。
SN74CB3Q16210DGGR被组织为两个10位总线开关，具有独立的输出使能(10E\、2OE\)输入。它可以用作两个10位总线开关或一个20位总线开关。当OE\为低电平时，相关的10位总线开关打开，并且A端口连接到B端口，从而允许端口之间的双向数据流。当OE\为高电平时，相关的10位总线开关关闭，A和B端口之间存在高阻抗状态。
SN74CB3Q16210DGGR器件完全适用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路在设备断电时防止通过设备的破坏性电流回流。该设备在断电期间具有隔离功能。为确保上电或断电期间的高阻抗状态，OE\应通过上拉电阻连接到VCC；该电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
规格参数
功能特性
- 德州仪器Widebus™家族成员
- 高带宽数据路径(高达500兆赫兹)
- 设备通电或断电时的5V容限I/O
- 工作范围内低且平坦的导通电阻(rON)特性(RON=5Typical)
- 0V至5V开关，带3.3 VCC
- 0V至3.3V开关，带2.5 VCC
- 传输延迟接近于零的双向数据流
- 低输入/输出电容可将负载和信号失真降至最低(典型情况下，Cio(OFF)=4 pF)
- 快速切换频率(fOE\=最大20 MHz)
- 数据和控制输入提供欠冲钳位二极管
- 低功耗(典型ICC=1 mA)
- VCC工作范围为2.3 V至3.6 V
- 数据I/O支持0 V至5 V信令级别(0.8 V、1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V、5 V)
- 控制输入可由TTL或5-V/3.3-V CMOS输出驱动
- IOFF支持部分掉电模式操作
- 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类
- 2000-V人体模型(A114-B，II级)
- 1000V充电器件型号(C101)
- 支持数字和模拟应用：PCI接口、差分信号接口、存储器交错、总线隔离、低失真信号选通
引脚配置
逻辑框图
简化示意图，每个FET开关（SW）
真值表
典型ron与VI
典型ICC与OE切换频率
典型测试电路
电压波形启用和禁用时间
封装设计参数
总结
SN74CB3Q16210DGGR是德州仪器是一款非常高性能的10位二进制多路数据开关，具有快速的开关速度，使其适用于高速数据传输。它的低功耗特性有助于降低系统的能耗，尤其适用于便携式电子设备。
SN74CB3Q16210DGGR器件支持广泛的电源电压范围，从1.65V到5.5V，因此在多种应用中都能使用。它支持多种输入和输出标准，包括CMOS、LVTTL和LVCMOS等。此外，它还具有低电压逻辑兼容性，可以与许多低电压逻辑器件无缝集成。
SN74CB3Q16210DGGR器件拥有16个数据通道，可以实现多路数据切换和选择，适用于各种数字电路应用，特别是需要数据路切换和多路数据选择的场合。
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