首页 > 半导体> INA111
名称 参数
产品分类 放大比较IC
特征 Low bias current
类型 Resistor
通道数(#) 1
封装|引脚|尺寸 PDIP (P) 8 93 mm² 9.81 x 9.43 SOIC (DW) 16 —
Vs(最小)(V) 12
Vs(最大值)(V) 36
工作温度范围(C) -40 to 85
增益(最大值)(V/V) 1000
增益(最小值)(V/V) 1
智商(典型)(硕士) 3.3
共模抑制比(最小值)(dB) 106
增益误差(+/-)(最大值)(%) 0.5
输入偏移(+/-)(最大值)(uV) 500
增益非线性(+/-)(最大值)(%) 0.005
最小增益时的带宽(典型值)(MHz) 2
0.1 Hz-10 Hz(典型值)下的噪声(uVpp) 1
输入偏置电流(+/-)(最大值)(nA) 0.02
1 kHz时的噪声(典型值)(nV/rt(Hz)) 10
输入偏移漂移(+/-)(最大值)(uV/C) 5
输入共模净空(至正极电源)(典型)(V) -3
输入共模净空(至负极电源)(典型)(V) 3
输出回转净空(至正极电源)(典型)(V) -2.3
输出回转净空(至负极电源)(典型)(V) 2.3
INA111数据手册
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