名称 | 参数 |
---|---|
产品分类 | 放大比较IC |
特征 | Low bias current |
类型 | Resistor |
通道数(#) | 1 |
封装|引脚|尺寸 | PDIP (P) 8 93 mm² 9.81 x 9.43 SOIC (DW) 16 — |
Vs(最小)(V) | 12 |
Vs(最大值)(V) | 36 |
工作温度范围(C) | -40 to 85 |
增益(最大值)(V/V) | 1000 |
增益(最小值)(V/V) | 1 |
智商(典型)(硕士) | 3.3 |
共模抑制比(最小值)(dB) | 106 |
增益误差(+/-)(最大值)(%) | 0.5 |
输入偏移(+/-)(最大值)(uV) | 500 |
增益非线性(+/-)(最大值)(%) | 0.005 |
最小增益时的带宽(典型值)(MHz) | 2 |
0.1 Hz-10 Hz(典型值)下的噪声(uVpp) | 1 |
输入偏置电流(+/-)(最大值)(nA) | 0.02 |
1 kHz时的噪声(典型值)(nV/rt(Hz)) | 10 |
输入偏移漂移(+/-)(最大值)(uV/C) | 5 |
输入共模净空(至正极电源)(典型)(V) | -3 |
输入共模净空(至负极电源)(典型)(V) | 3 |
输出回转净空(至正极电源)(典型)(V) | -2.3 |
输出回转净空(至负极电源)(典型)(V) | 2.3 |
INA111数据手册