首页 > 晶体管> IPA028N08N3 G
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
Q gd 30.0
R th 3.6
C oss 2890.0
包装 TO-220 FullPAK
极性 N
销数 3.0
V DS最大值 80.0V
(@25°C)最大 89.0A
Q G (typ @10V) 155.0
R thJC最大值 3.6K/W
越来越多的 THT
I Dpuls最大值 352.0A
P合计马克斯 42.0W
C工业标准规格 10700.0
预算价格€/ 1 k 2.57
R DS (on)(@10V)最大 2.8mΩ
最大最小工作温度 -55.0°C
V GS(th)最大值最小值 2.0V2.8
IPA028N08N3 G数据手册
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