首页 > 晶体管> IPA086N10N3 G
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
R th 4.0
C oss 523.0
包装 TO-220 FullPAK
极性 N
V DS最大值 100.0V
(@25°C)最大 45.0A
Q G (typ @10V) 42.0
I Dpuls最大值 180.0A
P合计马克斯 37.5W
C工业标准规格 2990.0
预算价格€/ 1 k 0.6
R DS (on)(@10V)最大 8.6mΩ
最大最小工作温度 -55.0°C
V GS(th)最大值最小值 2.0V2.7
IPA086N10N3 G数据手册
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