首页 > 晶体管> IPA100N08N3 G
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
R th 4.3
C oss 490.0
包装 TO-220 FullPAK
极性 N
V DS最大值 80.0V
I D 最大值 40.0A
Q G (typ @10V) 26.0
I Dpuls最大值 160.0A
P合计马克斯 35.0W
C工业标准规格 1810.0
R DS (on)(@10V)最大 10.0mΩ
最大最小工作温度 -55.0°C
V GS(th)(typ)最大值最小值 2.0V2.8
IPA100N08N3 G数据手册
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