首页 > 晶体管> IPB009N03L G
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
R th 0.6
包装 D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
极性 N
销数 7.0
特殊特征 Wide SOA
V DS最大值 30.0V
(@25°C)最大 180.0A
Q G (typ @10V) 227.0
Q G (typ @4.5V) 110.0
R thJA最大值 62.0K/W
R thJC最大值 0.6K/W
越来越多的 SMD
I Dpuls最大值 1260.0A
P合计马克斯 250.0W
预算价格€/ 1 k 1.27
R DS (on)(@10V)最大 0.95mΩ
R DS (on)(@4.5V)最大 1.3mΩ
最大最小工作温度 -55.0°C
R DS (on)(@4.5V LL)最大 1.3mΩ
V GS(th)最大值最小值 1.0V
IPB009N03L G数据手册
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