首页 > 晶体管> IPB024N10N5
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
Q gd 23.0
R th 0.4
包装 D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
极性 N
销数 7.0
V DS最大值 100.0V
(@25°C)最大 180.0A
Q G (typ @10V) 111.0
R thJA最大值 62.0K/W
R thJC最大值 0.6K/W
越来越多的 SMD
I Dpuls最大值 720.0A
P合计马克斯 250.0W
预算价格€/ 1 k 2.03
R DS (on)(@10V)最大 2.4mΩ
最大最小工作温度 -55.0°C
V GS(th)最大值最小值 2.2V3.0
IPB024N10N5数据手册
0 购物车
0 消息