首页 > 晶体管> IPB025N10N3 G
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
R th 0.5
C oss 1940.0
包装 D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
极性 N
V DS最大值 100.0V
(@25°C)最大 180.0A
Q G (typ @10V) 155.0
I Dpuls最大值 720.0A
P合计马克斯 300.0W
C工业标准规格 11100.0
预算价格€/ 1 k 2.4
R DS (on)(@10V)最大 2.5mΩ
最大最小工作温度 -55.0°C
V GS(th)最大值最小值 2.0V2.7
IPB025N10N3 G数据手册
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