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半场晶体管(MOSFET) IPB033N10N5LF
品种: 晶体管
种类:半场晶体管(MOSFET)
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名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
Q gd 72.0
R th 0.45
包装 D2PAK (TO-263)
极性 N
销数 3.0
特殊特征 Wide SOA
V DS最大值 100.0V
(@25°C)最大 120.0A
Q G (typ @10V) 102.0
R thJA最大值 62.0K/W
R thJC最大值 0.7K/W
越来越多的 SMD
I Dpuls最大值 480.0A
P合计马克斯 179.0W
预算价格€/ 1 k 2.24
R DS (on)(@10V)最大 3.3mΩ
最大最小工作温度 -55.0°C
V GS(th)最大值最小值 2.5V3.3
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