首页 > 晶体管> IPB034N06L3 G
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
R th 0.9
C oss 1700.0
包装 D2PAK (TO-263)
极性 N
V DS最大值 60.0V
(@25°C)最大 90.0A
Q G (typ @4.5V) 59.0
I Dpuls最大值 360.0A
P合计马克斯 167.0W
C工业标准规格 10000.0
预算价格€/ 1 k 0.71
R DS (on)(@10V)最大 3.4mΩ
R DS (on)(@4.5V)最大 5.4mΩ
最大最小工作温度 -55.0°C
R DS (on)(@4.5V LL)最大 5.4mΩ
V GS(th)最大值最小值 1.2V1.7
IPB034N06L3 G数据手册
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