名称 | 参数 |
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产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
R th | 0.9 |
C oss | 1700.0 |
包装 | D2PAK (TO-263) |
极性 | N |
V DS最大值 | 60.0V |
(@25°C)最大 | 90.0A |
Q G (typ @4.5V) | 59.0 |
I Dpuls最大值 | 360.0A |
P合计马克斯 | 167.0W |
C工业标准规格 | 10000.0 |
预算价格€/ 1 k | 0.71 |
R DS (on)(@10V)最大 | 3.4mΩ |
R DS (on)(@4.5V)最大 | 5.4mΩ |
最大最小工作温度 | -55.0°C |
R DS (on)(@4.5V LL)最大 | 5.4mΩ |
V GS(th)最大值最小值 | 1.2V1.7 |
IPB034N06L3 G数据手册