| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| R th | 2.7 |
| 包装 | D2PAK (TO-263) |
| 极性 | N |
| 销数 | 3.0 |
| V DS最大值 | 30.0V |
| I D 最大值 | 50.0A |
| Q G (typ @10V) | 23.0 |
| Q G (typ @4.5V) | 11.0 |
| R thJA最大值 | 62.0K/W |
| R thJC最大值 | 2.7K/W |
| 越来越多的 | SMD |
| I Dpuls最大值 | 350.0A |
| P合计马克斯 | 56.0W |
| R DS (on)(@10V)最大 | 6.5mΩ |
| R DS (on)(@4.5V)最大 | 9.5mΩ |
| 最大最小工作温度 | -55.0°C |
| R DS (on)(@4.5V LL)最大 | 9.5mΩ |
| V GS(th)最大值最小值 | 1.0V |
IPB065N03L G数据手册
