| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| R th | 1.9 |
| C oss | 690.0 |
| 包装 | D2PAK (TO-263) |
| 极性 | N |
| V DS最大值 | 60.0V |
| (@25°C)最大 | 50.0A |
| Q G (typ @4.5V) | 22.0 |
| I Dpuls最大值 | 200.0A |
| P合计马克斯 | 79.0W |
| C工业标准规格 | 3700.0 |
| 预算价格€/ 1 k | 0.45 |
| R DS (on)(@10V)最大 | 8.1mΩ |
| R DS (on)(@4.5V)最大 | 14.3mΩ |
| 最大最小工作温度 | -55.0°C |
| R DS (on)(@4.5V LL)最大 | 14.3mΩ |
| V GS(th)最大值最小值 | 1.2V1.7 |
IPB081N06L3 G数据手册
