| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| R th | 0.5 |
| C oss | 297.0 |
| 包装 | D2PAK (TO-263) |
| 极性 | N |
| V DS最大值 | 250.0V |
| (@25°C)最大 | 64.0A |
| Q G (typ @10V) | 64.0 |
| I Dpuls最大值 | 256.0A |
| P合计马克斯 | 300.0W |
| C工业标准规格 | 5340.0 |
| 预算价格€/ 1 k | 2.97 |
| R DS (on)(@10V)最大 | 20.0mΩ |
| 最大最小工作温度 | -55.0°C |
| V GS(th)最大值最小值 | 2.0V3.0 |
IPB200N25N3 G数据手册
