名称 | 参数 |
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产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
包装 | D2PAK (PG-TO263-3) |
技术 | SIPMOS™ |
极性 | N |
V DS最大值 | 100.0V |
(@25°C)最大 | 47.0A |
R thJC最大值 | 0.85K/W |
V GS (th)分钟 | 1.2V |
I Dpuls最大值 | 188.0A |
P合计马克斯 | 175.0W |
V GS (th)最大值 | 2.0V |
Q G(typ @10V)最大 | 90.0nC |
R DS (on)(@10V)最大 | 26.0mΩ |
IPB47N10SL-26数据手册