名称 | 参数 |
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产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
包装 | D2PAK (TO-263) |
极性 | N |
V DS最大值 | 55.0V |
(@25°C)最大 | 80.0A |
I D 最大值 | 80.0A |
Q G (typ @10V) | 130.0 |
Q G(典型的) | 130.0 |
R thJC最大值 | 0.5K/W |
I Dpuls最大值 | 320.0A |
P合计马克斯 | 300.0W |
R DS (on)(@10V)最大 | 4.8mΩ |
V GS(th)最大值最小值 | 2.1V |
IPB80N06S2-05数据手册