首页 > 晶体管> IPB80N06S2L-05
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
包装 D2PAK (TO-263)
极性 N
V DS最大值 55.0V
(@25°C)最大 80.0A
I D 最大值 80.0A
Q G (typ @10V) 170.0
Q G(典型的) 170.0
R thJC最大值 0.5K/W
I Dpuls最大值 320.0A
P合计马克斯 300.0W
R DS (on)(@10V)最大 4.5mΩ
V GS(th)最大值最小值 1.2V
IPB80N06S2L-05数据手册
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