首页 > 晶体管> IPB80N06S2L-H5
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
包装 D2PAK (PG-TO263-3)
极性 N
V DS最大值 55.0V
(@25°C)最大 80.0A
R thJC最大值 0.5K/W
V GS (th)分钟 1.2V
I Dpuls最大值 320.0A
P合计马克斯 300.0W
V GS (th)最大值 2.0V
Q G(typ @10V)最大 145.0nC
R DS (on)(@10V)最大 4.7mΩ
IPB80N06S2L-H5数据手册
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