首页 > 晶体管> IPB80P03P4-05
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
包装 D2PAK (PG-TO263-3)
技术 OptiMOS™-P2
极性 P
V DS最大值 -30.0V
(@25°C)最大 -80.0A
R thJC最大值 1.1K/W
V GS (th)分钟 -2.0V
I Dpuls最大值 -320.0A
P合计马克斯 137.0W
V GS (th)最大值 -4.0V
Q G(typ @10V)最大 100.0nC
预算价格€/ 1 k 0.87
R DS (on)(@10V)最大 4.7mΩ
IPB80P03P4-05数据手册
0 购物车
0 消息