半场晶体管(MOSFET)
IRF100P219
品种：
晶体管
种类：半场晶体管(MOSFET)
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| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| Q G | 180.0 |
| Q gd | 40.0 |
| 包装 | TO-247 |
| 极性 | N |
| T j最大值 | 175.0°C |
| V DS最大值 | 100.0V |
| V GS最大值 | 20.0V |
| I D 最大值 | 215.0A |
| R thJC最大值 | 44.0K/W |
| 越来越多的 | THT |
| P合计马克斯 | 341.0W |
| R DS(开)最大值 | 1.7mΩ |
| 预算价格€/ 1 k | 3.25 |
| R DS (on)(@10V)最大 | 1.7mΩ |
| I D (@ T C=25°C)最大 | 304.0A |
| I D (@ T C=100°C)最大 | 215.0A |
IRF100P219数据手册
