首页 > 晶体管> IRFB23N20D
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
Q gd 27.0
包装 TO-220
极性 N
T j最大值 175.0°C
V DS最大值 200.0V
V GS最大值 30.0V
(@25°C)最大 24.0A
Q G (typ @10V) 57.0
R thJC最大值 0.9K/W
越来越多的 THT
P合计马克斯 170.0W
R DS (on)(@10V)最大 100.0mΩ
V GS(th)最大值最小值 3.0V4.25
IRFB23N20D数据手册
0 购物车
0 消息