首页 > 晶体管> IRFB4212
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
Q G 15.0
Q gd 6.9
包装 TO-220
极性 N
T j最大值 175.0°C
V DS最大值 100.0V
V GS最大值 20.0V
I D 最大值 13.0A
R thJC最大值 2.5K/W
越来越多的 THT
P合计马克斯 60.0W
R DS(开)最大值 72.5mΩ
R DS (on)(@10V)最大 72.5mΩ
I D (@ T C=25°C)最大 18.0A
I D (@ T C=100°C)最大 13.0A
IRFB4212数据手册
0 购物车
0 消息