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MOS管 IRFD120PBF
品种: 晶体管
种类:MOS管
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名称 参数
产品分类 MOS管
其他
制造应用 :电源管理
包装方式 :Tube
最小包装 :2500
产品生命周期 :Active
外形尺寸
宽度 :6.29 mm
封装 :DIP-4
长度 :5 mm
高度 :3.37 mm
封装参数
封装 :DIP-4
引脚数 :4
安装方式 :Through Hole
技术参数
极性 :N-Channel
针脚数 :4
上升时间 :27 ns
下降时间 :17 ns
耗散功率 :1.3 W
阈值电压 :4 V
额定功率 :1.3 W
额定电流 :1.30 A
漏源极电阻 :0.27 Ω
额定电压(DC) :100 V
工作温度(Max) :175 ℃
工作温度(Min) :-55 ℃
耗散功率(Max) :1.3 W
额定功率(Max) :1.3 W
栅源击穿电压 :±20.0 V
漏源击穿电压 :100 V
输入电容(Ciss) :360pF @25V(Vds)
漏源极电压(Vds) :100 V
连续漏极电流(Ids) :1.30 A
物理参数
工作温度 :-55℃ ~ 175℃ (TJ)
符合标准
RoHS标准 :RoHS Compliant
含铅标准 :Lead Free
IRFD120PBF数据手册
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