| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| Q gd | 36.0 |
| 包装 | D2PAK (TO-263) |
| 极性 | N |
| T j最大值 | 175.0°C |
| V DS最大值 | 100.0V |
| V GS最大值 | 30.0V |
| (@25°C)最大 | 59.0A |
| Q G (typ @10V) | 76.0 |
| R thJC最大值 | 0.5K/W |
| 越来越多的 | SMD |
| P合计马克斯 | 200.0W |
| 水分敏感水平 | 1 |
| R DS (on)(@10V)最大 | 25.0mΩ |
| V GS(th)最大值最小值 | 3.0V4.25 |
IRFS59N10D数据手册
