名称 | 参数 |
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产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
Q G | 66.7 |
Q gd | 28.7 |
包装 | D2PAK (TO-263) |
极性 | N |
T j最大值 | 175.0°C |
V DS最大值 | 40.0V |
V GS最大值 | 16.0V |
I D 最大值 | 80.0A |
R thJC最大值 | 1.0K/W |
越来越多的 | SMD |
P合计马克斯 | 150.0W |
R DS(开)最大值 | 6.5mΩ |
水分敏感水平 | 1 |
R DS (on)(@10V)最大 | 6.5mΩ |
R DS (on)(@4.5V)最大 | 9.0mΩ |
I D (@ T C=25°C)最大 | 110.0A |
I D (@ T C=100°C)最大 | 80.0A |
IRL1004S数据手册