| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| Q G | 23.0 |
| Q gd | 8.3 |
| R th | 1.32 |
| 包装 | D2PAK (TO-263) |
| 极性 | N |
| 销数 | 3.0 |
| T j最大值 | 175.0°C |
| V DS最大值 | 30.0V |
| V GS最大值 | 20.0V |
| I D 最大值 | 74.0A |
| R thJA最大值 | 62.0K/W |
| R thJC最大值 | 1.32K/W |
| 越来越多的 | SMD |
| I Dpuls最大值 | 420.0A |
| P合计马克斯 | 110.0W |
| R DS(开)最大值 | 6.0mΩ |
| 水分敏感水平 | 1 |
| R DS (on)(@10V)最大 | 6.0mΩ |
| R DS (on)(@4.5V)最大 | 7.1mΩ |
| I D (@ T C=25°C)最大 | 105.0A |
| I D (@ T C=100°C)最大 | 74.0A |
| 最大最小工作温度 | -55.0°C |
| V GS(th)最大值最小值 | 1.35V |
IRL8113S数据手册
