半场晶体管(MOSFET)
IRLHM630
品种:
晶体管
种类:半场晶体管(MOSFET)
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名称 | 参数 |
---|---|
产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
Q gd | 14.0 |
包装 | PQFN 3.3 x 3.3 |
极性 | N |
T j最大值 | 150.0°C |
V DS最大值 | 30.0V |
V GS最大值 | 12.0V |
(@25°C)最大 | 40.0A |
Q G (typ @4.5V) | 41.0 |
R thJC最大值 | 3.4K/W |
越来越多的 | SMD |
P合计马克斯 | 37.0W |
水分敏感水平 | 1 |
R DS (on)(@10V)最大 | 3.2mΩ |
R DS (on)(@4.5V)最大 | 3.5mΩ |
P tot(@ T A=25°C)最大 | 2.7W |
V GS(th)最大值最小值 | 0.5V0.8 |
IRLHM630数据手册