名称 | 参数 |
---|---|
产品分类 | 放大比较IC |
特征 | — |
评级 | Automotive |
建筑学 | CMOS |
铁路到铁路 | In to V-, Out |
通道数(#) | 2 |
封装|引脚|尺寸 | SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9 |
工作温度范围(C) | -40 to 85 |
GBW(典型)(兆赫) | 1.4 |
回转率(典型)(V/us) | 1.5 |
偏移漂移(典型)(uV/C) | 2.3 |
共模抑制比(典型)(dB) | 96 |
输出电流(典型值)(mA) | 5 |
每通道智商(典型值)(mA) | 0.4 |
1kHz时的Vn(典型值)(nV/rtHz) | 27 |
输入偏置电流(最大值)(pA) | 0.2 |
总电源电压(最大值)(+5V=5,+/-5V=10) | 15.5 |
总电源电压(最小值)(+5V=5,+/-5V=10) | 2 |
Vos(25℃时的偏移电压)(最大值)(mV) | 5 |
LMC6035-Q1数据手册