名称 | 参数 |
---|---|
产品分类 | 放大比较IC |
特征 | — |
评级 | Catalog |
建筑学 | CMOS |
铁路到铁路 | In to V-, Out |
通道数(#) | 1 |
封装|引脚|尺寸 | SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9 |
工作温度范围(C) | -40 to 85 |
GBW(典型)(兆赫) | 0.1 |
回转率(典型)(V/us) | 0.035 |
偏移漂移(典型)(uV/C) | 1 |
1 kHz时THD+N(典型值)(%) | 0.01 |
共模抑制比(典型)(dB) | 85 |
输出电流(典型值)(mA) | 21 |
每通道智商(典型值)(mA) | 0.02 |
1kHz时的Vn(典型值)(nV/rtHz) | 83 |
输入偏置电流(最大值)(pA) | 0.1 |
总电源电压(最大值)(+5V=5,+/-5V=10) | 15.5 |
总电源电压(最小值)(+5V=5,+/-5V=10) | 4.5 |
Vos(25℃时的偏移电压)(最大值)(mV) | 0.35 |
LMC6061数据手册