首页 > 半导体> LMC6482QML
名称 参数
产品分类 放大比较IC
特征
评级 Military
建筑学 CMOS
铁路到铁路 In, Out
通道数(#) 2
封装|引脚|尺寸 CDIP (NAB) 8 66 mm² 10.16 x 6.5
工作温度范围(C) -55 to 125
GBW(典型)(兆赫) 1.25
回转率(典型)(V/us) 1.3
偏移漂移(典型)(uV/C) 1
共模抑制比(典型)(dB) 82
输出电流(典型值)(mA) 11
每通道智商(典型值)(mA) 0.5
1kHz时的Vn(典型值)(nV/rtHz) 37
输入偏置电流(最大值)(pA) 25
总电源电压(最大值)(+5V=5,+/-5V=10) 15.5
总电源电压(最小值)(+5V=5,+/-5V=10) 3
Vos(25℃时的偏移电压)(最大值)(mV) 0.75
LMC6482QML数据手册
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