| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 放大比较IC |
| 特征 | — |
| 评级 | Catalog |
| 建筑学 | CMOS |
| 铁路到铁路 | In to V-, Out |
| 通道数（#） | 4 |
| 封装|引脚|尺寸 | PDIP (NFF) 14 52 mm² 6.35 x 8.26 SOIC (D) 14 52 mm² 8.65 x 6 |
| 工作温度范围（C） | -40 to 85, 0 to 70 |
| GBW（典型）（兆赫） | 1.4 |
| 回转率（典型）（V/us） | 1.1 |
| 偏移漂移（典型）（uV/C） | 1.3 |
| 共模抑制比（典型）（dB） | 83 |
| 输出电流（典型值）（mA） | 21 |
| 每通道智商（典型值）（mA） | 0.38 |
| 1kHz时的Vn（典型值）（nV/rtHz） | 22 |
| 输入偏置电流（最大值）（pA） | 2 |
| 总电源电压（最大值）（+5V=5，+/-5V=10） | 15.5 |
| 总电源电压（最小值）（+5V=5，+/-5V=10） | 4.75 |
| Vos（25℃时的偏移电压）（最大值）（mV） | 3 |
LMC660数据手册
