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LP2309LT1G
电子元器件分类
LP2309LT1G
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| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 电子元器件分类 |
| 其他 | FET类型 :P-Channel 工作温度 :-55°C~150°C 封装/外壳 :SOT-23 栅极电压Vgs :±20V Rds On(Max)@Id,Vgs :215mΩ@-1.8A,-10V 漏源极电压Vds :-60V Pd-功率耗散(Max) :1.4W 连续漏极电流Id :-1.9A |
| 外形尺寸 | 封装 :SOT-23 |
| 封装参数 | 封装 :SOT-23 |
| 符合标准 | RoHS标准 :RoHS Compliant |
LP2309LT1G数据手册
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