| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 放大比较IC |
| 特征 | — |
| 评级 | Catalog |
| 建筑学 | FET |
| 铁路到铁路 | No |
| 通道数（#） | 1 |
| 封装|引脚|尺寸 | SOIC (D) 8 19 mm² 3.91 x 4.9 SOIC (D) 8 — |
| 工作温度范围（C） | -55 to 125 |
| GBW（典型）（兆赫） | 4 |
| 回转率（典型）（V/us） | 10 |
| 偏移漂移（典型）（uV/C） | 2 |
| 1 kHz时THD+N（典型值）（%） | 0.0008 |
| 共模抑制比（典型）（dB） | 80 |
| 输出电流（典型值）（mA） | 25 |
| 每通道智商（典型值）（mA） | 1.5 |
| 1kHz时的Vn（典型值）（nV/rtHz） | 15 |
| 输入偏置电流（最大值）（pA） | 50 |
| 总电源电压（最大值）（+5V=5，+/-5V=10） | 36 |
| 总电源电压（最小值）（+5V=5，+/-5V=10） | 9 |
| Vos（25℃时的偏移电压）（最大值）（mV） | 1 |
OPA131数据手册
