| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 放大比较IC |
| 特征 | EMI Hardened, High Cload Drive |
| 评级 | Catalog |
| 建筑学 | CMOS |
| 铁路到铁路 | In, Out |
| 通道数（#） | 1 |
| 封装|引脚|尺寸 | SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9 SOT-23 (DBV) 5 5 mm² 2.9 x 1.6 VSSOP (DGK) 8 15 mm² 3 x 4.9 |
| 工作温度范围（C） | -40 to 125 |
| GBW（典型）（兆赫） | 2.5 |
| 回转率（典型）（V/us） | 5.5 |
| 偏移漂移（典型）（uV/C） | 0.1 |
| 1 kHz时THD+N（典型值）（%） | 0.0012 |
| 共模抑制比（典型）（dB） | 140 |
| 输出电流（典型值）（mA） | 65 |
| 每通道智商（典型值）（mA） | 0.14 |
| 1kHz时的Vn（典型值）（nV/rtHz） | 15 |
| 输入偏置电流（最大值）（pA） | 20 |
| 总电源电压（最大值）（+5V=5，+/-5V=10） | 36 |
| 总电源电压（最小值）（+5V=5，+/-5V=10） | 4.5 |
| Vos（25℃时的偏移电压）（最大值）（mV） | 0.025 |
OPA191数据手册
