名称 | 参数 |
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产品分类 | 放大比较IC |
特征 | EMI Hardened, High Cload Drive |
评级 | Catalog |
建筑学 | CMOS |
铁路到铁路 | In, Out |
通道数(#) | 1 |
封装|引脚|尺寸 | SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9 SOT-23 (DBV) 5 5 mm² 2.9 x 1.6 VSSOP (DGK) 8 15 mm² 3 x 4.9 |
工作温度范围(C) | -40 to 125 |
GBW(典型)(兆赫) | 10 |
回转率(典型)(V/us) | 20 |
偏移漂移(典型)(uV/C) | 0.5 |
1 kHz时THD+N(典型值)(%) | 0.00008 |
共模抑制比(典型)(dB) | 140 |
输出电流(典型值)(mA) | 65 |
每通道智商(典型值)(mA) | 1 |
1kHz时的Vn(典型值)(nV/rtHz) | 5.5 |
输入偏置电流(最大值)(pA) | 20 |
总电源电压(最大值)(+5V=5,+/-5V=10) | 36 |
总电源电压(最小值)(+5V=5,+/-5V=10) | 4.5 |
Vos(25℃时的偏移电压)(最大值)(mV) | 0.1 |
OPA197数据手册