首页 > 晶体管> RF2L42008CG2
名称 参数
产品分类 射频晶体管
封装 E2
ECCN EU NEC
ECCN US EAR99
Frequency 3600
Efficiency 47
Power Gain 14.5
Output Power 8
Package Name E2
一般描述 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
包装类型 Tape And Reel
市场状况 Active
等级规格 Industrial
R<sub>th</sub> 3.6
ROHS合规等级 N/A
Transistor Supply Voltage 28
RF2L42008CG2数据手册
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