首页 > 晶体管> RF3L05200CB4
名称 参数
产品分类 射频晶体管
封装 LBB
ECCN EU NEC
ECCN US EAR99
Frequency 650
Efficiency 63
Power Gain 19
Output Power 200
Package Name LBB
一般描述 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
包装类型 Tape And Reel
市场状况 Active
等级规格 Industrial
R<sub>th</sub> 0.35
ROHS合规等级 N/A
Transistor Supply Voltage 28
RF3L05200CB4数据手册
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