MOS管
SI8409DB-T1-E1
品种：
晶体管
种类：MOS管
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| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | MOS管 |
| 其他 | 包装方式 :Tape & Reel (TR) 最小包装 :3000 产品生命周期 :Active |
| 外形尺寸 | 封装 :XFBGA-4 |
| 封装参数 | 封装 :XFBGA-4 引脚数 :4 安装方式 :Surface Mount |
| 技术参数 | 极性 :P-Channel 上升时间 :35 ns 下降时间 :90 ns 耗散功率 :1.47 W 漏源极电阻 :1.052 Ω 工作温度(Max) :150 ℃ 工作温度(Min) :-55 ℃ 耗散功率(Max) :2770 mW 额定功率(Max) :1.47 W 栅源击穿电压 :±12.0 V 漏源极电压(Vds) :30 V 连续漏极电流(Ids) :-6.30 A |
| 物理参数 | 材质 :Silicon 工作温度 :-55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 符合标准 | RoHS标准 :RoHS Compliant 含铅标准 :Lead Free |
SI8409DB-T1-E1数据手册
暂无资料
